3D NAND Flashメモリー用テストウェーハ

半導体分野の先端技術である3D NAND Flashメモリーのテストパターンウェーハを開発しております。300mmシリコンウェーハ上にSiO2膜とSiN膜を交互に積み重ね64対（128層）の積層成膜加工をし、さらにその上に酸化膜とエッチング用ハードマスクACL（アモルファスカーボン）膜を成膜しSiON膜を介してレジストを塗布してパターンニングしたテストウェーハです。

3D NANDフラッシュメモリーテストウェーハの初期構造と最終構造

用途に合わせて下段まで、あるいは中間までエッチングサービスを行う計画です。

また、SiO2/SiN積層部は128対（256層）まで対応を考えており、タングステンドーピングしたACLにも対応しております。